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2018-11-07 22:23:29 来源:上证报APP·中国证券网 作者:滕飞

  上证报讯(记者 滕飞)乾照光电7日晚间公告,公司拟出资15.97亿元,建设VCSEL、高端LED芯片等半导体研发生产项目。

  根据公告,该项目总投资约15.97亿元,其中银行贷款8.51亿元,其余资金由公司自筹出资。该项目预计2018年启动,2021年建成投产,2022年实现满产运行,项目建设内容主要为主生产厂房、污水处理站、氢气站、氮气站、化学品 库、宿舍、其他仓库等。项目资金运用上,建设投资11.96亿元,建设期利息3024.99万元,流动资金3.70亿元。

  项目投产后,预测达产后年销售收入9.66亿元,达产年利润总额2.37亿元,达产年投资利润率17.71%,投资利税率18.63%,全部投资所得税后财务内部收益率为21.72%;投资回收期6.01年。

  资料显示,VCSEL是以砷化镓半导体材料为基础研制,是一种半导体激光器。2017年VCSEL全球市场规模大概在1.5亿美元左右。2019年,应用于智能手机的VCSEL芯片出货量预计将增长至2.4亿颗,全球VCSEL市场的复合年增长率(CAGR)可达17.3%,市场规模到2022年或将增长至200亿人民币。目前安卓手机阵营中没有应用国产化的VCSEL芯片。VCSEL外延片芯片的关键技术主要为国际少数几家大公司所垄断,也是国内激光芯片产业中较为薄弱的环节。

  公司方面表示,砷化镓/氮化镓半导体器件主要依附于MOCVD进行外延生产,技术含量高;在军用和民用无线通讯等领域需求旺盛,而相关国内厂商稀缺,国家正大力支持该行业的迅速发展。公司凭借在砷化镓和氮化镓光电器件领域多年研发和生产的积累,通过本项目的建设,将有助于公司在其他市场领域的突破,对公司的战略发展具有重要意义。

  另外,项目建成达产后,有利于推动高端可见光半导体LED芯片的国产化进程,降低终端应用产品的生产成本,促进产业健康发展,完善我国自主的LED产业链,提升我国半导体产业的国际竞争力。